一、表面微结构技术

表面微观结构过程是提高器件光效率的另一种有效技术。室内led显示屏由于LED工作电压低（仅 1.2~4.0V），能主动发光且有一定亮度 
，亮度又能用电压（或电流）调节
，本身又耐冲击

、抗振动
、寿命长（10 万小时）
，所以在大型的显示设备中

，尚无其他的显示方式与LED显示方式匹敌。户外led显示屏无论用LED制作单色
、双色或三色屏，欲显示图象需要构成像素的每个LED的发光亮度都必须能调节，其调节的精细程度就是显示屏的灰度等级。灰度等级越高，显示的图像就越细腻，色彩也越丰富，相应的显示控制系统也越复杂
。该技术的要点是刻蚀芯片表面光波长度大小的大量小结构，每个结构呈十字形四面体的形状
，不仅扩大了光面积，而且改变了光在芯片表面的折射方向，明显提高了透射效率

。测量结果表明，对于具有20μm的窗口层厚度的器件，输出效率可以提高30％，当窗口层的厚度减小到10μm时
，发光效率将提高60％
。对于具有585625nm波长的LED器件，当制造纹理结构时，发光效率可以达到30lm，其值接近透明衬底器件的水平
。

二、倒装芯片技术

生长由GaN基LED MOCVD层结构技术在蓝宝石衬底上，光通过由P / N结的发光区域发射的上部P型区域发射
。由于P型导电性的GaN性能差，为了获得必要的良好的电流扩散层，以形成通过气相沉积技术在P区的NiAu表面构成的金属电极层。通过金属薄膜层引出的引线的P区
。为了获得良好的电流扩散，的NiAu金属电极层不能太薄
。出于这个原因，该装置的发光效率会受到很大影响
，典型地考虑到两个因素的电流扩散和光提取效率
。但是，不管这种情况下，金属薄膜的存在，从而使光透射性能总是劣化。此外
，还存在的器件的光效率的键合焊盘被影响。使用氮化镓LED倒装芯片配置可从根本上消除了上述问题。

三、透明衬底技术

InGaAlP LED通常是在GaAs衬底上外延生长InGaAlP发光区GaP窗口区制备而成。与InGaAlP相比
，GaAs材料具有小得多的禁带宽度，因此
，当短波长的光从发光区与窗口表面射入GaAs衬底时，将被悉数吸收
，成为器件出光效率不高的主要原因
。在衬底与限制层之间生长一个布喇格反射区
，能将垂直射向衬底的光反射回发光区或窗口，部分改善了器件的出光特性
。一个更为有效的方法是先去除GaAs衬底

，代之于全透明的GaP晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区
，使量子效率从4％提升到了2530％。为进一步减小电极区的吸收，有人将这种透明衬底型的InGaAlP器件制作成截角倒锥体的外形
，使量子效率有了更大的提高。

四
、芯片键合技术

光电器件对所需材料的性能具有一定的要求，通常具有大的带宽差和材料的折射率的大变化。不幸的是，通常没有这种天然物质。所要求的带宽差和折射率差不能由均匀的外延生长技术形成，而通常的异质外延技术，例如在硅芯片上的外延GaAs和InP
，不仅昂贵

，而且具有与界面结合的非常高的位错密度
，因此难以形成高质量的光电子集成器件。由于低温结合技术可大大降低不同材料之间的热失配，降低应力和位错，从而形成高质量器件。